Iskani niz je bil najden v IZTOČNICAH:
transfert à l'intérieur d'une zone de la station de base
da
intra-BSS handover
de
Handover innerhalb einer Basisstation
,
Intra-BSS-Zonen-Weiterreichen
en
intra-BSS handover
,
intra-base station system handover
es
traspaso en la misma estación de base
,
traspaso intra-EB
fi
tukiasemajärjestelmän sisäinen kanavanvaihto
it
handover nella stazione di base
nl
handover in een basisstation
pt
transferência intra-EB
sv
överkoppling inom ett basstationssystem
transfert externe à l'intérieur d'une zone de station de base
Communications
da
eksternt intra-BSS handover
de
Extern-Intra-BSS-Weiterreichen
en
external intra-BSS handover
es
traspaso intra-EB externo
fi
tukiasemajärjestelmän sisäinen kanavanvaihto,joka tapahtuu matkapuhelinkeskuksen ohjauksella
it
handover esterno nella stazione di base
nl
externe handover in een basisstation
pt
transferência intra-EB externa
sv
externt styrd överkoppling inom basstationssystem
transfert interne à l'intérieur d'une zone de station de base
Communications
da
internt intra-BSS handover
de
Intern-Intrazonen-Weiterreichen
en
internal intra-BSS handover
es
traspaso intra-EB interno
fi
tukiasemajärjestelmän sisäinen kanavanvaihto,joka tapahtuu ilman matkapuhelinkeskuksen ohjausta
it
handover interiore nella stazione di base
nl
interne handover in een basisstation
pt
transferência intra-EB interna
sv
internt styrd överkoppling inom basstationssystem
transistor à couche mince à zone d'épuisement
Electronics and electrical engineering
da
tyndfilmstransistor af depletiontype
de
Dünnschichttransistor vom Verarmungstyp
el
τρανζίστορ λεπτού στρώματος τύπου αραίωσης
en
depletion-type TFT
es
TFT tipo de vaciado
fi
sulkutyypin ohutkalvotransistori
it
transistore a film sottile del tipo a carica spaziale per esaurimento
nl
dunne film depletietransistor
pt
TFT de tipo por depleção
sv
tunnfilmstransistor av utarmningstyp
transistor à effet de champ à grille isolée à zone d'épuisement
Electronics and electrical engineering
da
depletion IG felteffekttransistor
de
Insulated-Gate-Feldeffekt-Transistor vom Verarmungstyp
el
IGFET τύπου αραίωσης
,
MOSFET τύπου αραίωσης
,
τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου μονωμένης πύλης τύπου αραίωσης
en
depletion-type insulated-gate field-effect transistor
es
transistor de efecto de campo compuerta aislada tipo vaciado
fi
sulkutyyppinen eristehilakanavatransistori
it
transistore a effetto di campo con porta isolata a carica spaziale
nl
depletie veldeffecttransistor met geïsoleerde gate
pt
transístor de efeito de campo de porta isolada do tipo de depleção
sv
fälteffekttransistor med isolerat styre av utarmningstyp
transistor MOS à effet de champ à canal p par zone d'appauvrissement
Electronics and electrical engineering
da
p-kanal depletion MOS felt-effekt transistor
de
P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp
el
κρυσταλλοτρίοδος MOS Επιδράσεως πεδίου αραιώσεως διαύλου τύπου p
,
τρανζίστορ MOS επιδράσεως πεδίου αραιώσεως διαύλου τύπου p
en
depletion p-MOST
,
p-channel depletion MOS field-effect transistor
,
p-channel depletion MOST
es
transistor de efecto de campo MOS por región de vaciado canal p
fi
P-kanavainen sulkumosfetti
it
transistore MOS a effetto di campo a canale p a carica spaziale
nl
p-kanaal-depletie-MOS-veldeffecttransistor
pt
transístor MOS de efeito de campo com depleção do canal p
sv
P-kanal MOS-fälteffekttransistor av utarmningstyp
transistor MOS à effet de champ à canal p par zone d'enrichissement
Electronics and electrical engineering
da
p-kanal enhancement MOS felt-effekt transistor
de
P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor vom Anreicherungstyp
el
κρυσταλλοτρίοδος MOS επιδράσεως πεδίου πυκνώσεως διαύλου τύπου p
,
τρανζίστορ MOS Επιδράσεως πεδίου πυκνώσεως διαύλου τύπου p
en
enhancement p-MOST
,
p-channel enhancement MOS field-effect transistor
,
p-channel enhancement MOST
es
transistor de efecto de campo MOS por zona de enriquecimiento canal p
fi
P-kanavainen avausmosfetti
it
transistore MOS a effetto di campo a canale p a incremento
nl
p-kanaal-enhancement-MOS-veldeffecttransistor
pt
transístor MOS de efeito de campo com intensificação do canal p
sv
P-kanal MOS-fälteffekttransistor av anrikningstyp
transistor MOS à effet de champ et à zone d'épuisement
Electronics and electrical engineering
da
depletion MOS felteffekttransistor
de
MOS-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp
el
MOSFET αραίωσης
,
τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού(MOS)αραίωσης
en
depletion MOS field effect transistor
,
depletion MOST
es
transistor de efecto de campo MOS
fi
sulkutyyppinen metallioksidikanavatransistori
it
MOSFET a svuotamento
nl
depletie MOS veldeffecttransistor
pt
transístor MOS de efeito de campo por depleção
sv
MOS-fälteffekttransistor av utarmningstyp
Dostopnost