Iskani niz je bil najden v IZTOČNICAH:
Drain-Gate-Abstand
Electronics and electrical engineering
da
drain-gate afstand
el
απόσταση υποδοχής-πύλης
,
διάστημα υποδοχής-πύλης
en
drain-gate space
es
espacio compuerta-drenaje
fi
nielu-porttiväli
fr
espace drain-porte
it
distanza pozzo-porta
nl
drain gate afstand
pt
espaço dreno-porta
sv
kollektor-styre-separation
drain-gate biaskredsløb
Electronics and electrical engineering
da
drain-gate forspændingskredsløb
de
Drain-gate-Vorspannungsschaltung
el
κύκλωμα πόλωσης υποδοχής-πύλης
en
drain-gate bias circuit
es
circuito de polarización compuerta drenaje
fi
nielu-hilaesijännitepiiri
fr
circuit de polarisation drain-porte
it
circuito di polarizzazione pozzo-porta
nl
drain gate instelcircuit
pt
circuito de polarização dreno-porta
sv
biaseringskrets för styret
,
förspänningskrets för styret
drain-gate kapacitet
Electronics and electrical engineering
de
Drain-Gate-Kapazität
el
χωρητικότητα υποδοχής-πύλης
en
drain-gate capacitance
es
capacitancia compuerta-drenaje
fi
nielu-porttikapasitanssi
fr
capacité drain-porte
it
capacita pozzo-porta
nl
drain gatecapaciteit
pt
capacidade dreno-porta
sv
överlappskapacitans kollektor-styre
drain-gate lækstrøm
Electronics and electrical engineering
de
Drain-gate-Reststrom
el
ρεύμα διαρροής υποδοχής-πύλης
en
drain-gate leakage current
es
corriente de fuga compuerta-drenaje
fi
nielu-hilavuotovirta
fr
courant de fuite drain-porte
it
corrente di perdita pozzo-porta
nl
drain gatelekstroom
pt
corrente de fuga dreno-porta
sv
läckström mellan styret och kollektorn
drain-gate spænding
Electronics and electrical engineering
de
Drain-Gate-Spannung
el
τάση υποδοχής-πύλης
en
drain-gate voltage
es
tensión compuerta-drenaje
fi
nielu-porttijännite
fr
tension drain-porte
it
tensione pozzo-porta
nl
drain gatespanning
pt
tensão dreno-porta
sv
kollektor-styre-spänning
Drainstrom bei Gate-Source-Spannung gleich Null
Electronics and electrical engineering
da
drainstrøm uden forspænding
el
ρεύμα υποδοχής μηδενικής πόλωσης
,
ρεύμα φρεατίου μηδενικής πόλωσης
en
zero-bias drain current
es
corriente de drenaje polarización cero
fi
nollatasoinen nielun varauksenkuljettajien virta
fr
courant de drain à polarisation nulle
it
corrente di pozzo a polarizzazione zero
nl
drainstroom als de gate-source-potentiaal gelijk aan nul is
pt
corrente de dreno em polarização nula
sv
drain-ström vid noll gate-source-spänning
drempelspanning van de gate
Electronics and electrical engineering
da
gate-tærskelspænding
de
Gate-Source-Schwellspannung
el
τάση κατωφλίου πύλης
en
gate threshold voltage
es
tensión límite de compuerta
fi
hilan kynnysjännite
fr
tension de seuil de grille
it
tensione di soglia di porta
pt
tensão limite da porta
sv
gate-tröskelspänning
dual depletion-type insulated-gate felt-effekt transistor
Electronics and electrical engineering
de
Dual-Insulated-Gate-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp
el
διπλό τρανζίστορ επίδρασης πεδίου μονωμένης πύλης τύπου αραίωσης
,
ζευγάρι τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου μονωμένης πύλης τύπου αραίωσης
en
dual depletion-type insulated-gate field-effect transistor
es
transistor de efecto de campo compuerta aislada tipo vaciado
fi
sulkutyypin kaksoiseristehilakanavatransistori
fr
transistor à effet de champ
,
à double zone d'épuisement
,
à grille isolée
it
coppia di FET a porta isolata a esaurimento
nl
identiek depletietype geisoleerde gate FET paar
pt
FET duplo de porta isolada do tipo de depleção
sv
dubbla fälteffekttransistorer med isolerad styrelektrod av utarmningstyp
Dual-Insulated-Gate-Feldeffekt-transistor
Electronics and electrical engineering
da
insulated gate MOS felt-effekt transistor med to gate elektroder
el
διπλό τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου μονωμένης πύλης
,
τρανζίστορ επίδρασης πεδίου διπλό,μονωμένης πύλης
en
dual insulated-gate field-effect transistor
es
transistor de efecto de campo compuerta aislada doble
fi
eristehilafetti
,
eristehilakanavatransistori
fr
transistor double à effet de champ
,
transistor double à grille isolée
it
coppia di FET a porta isolata
nl
identiek veldeffecttransistorpaar met geisoleerde gate
pt
FET duplo de porta isolada
sv
fälteffekttransistor med isolerat dubbelstyre